热机械分析仪 TMA7000系列

与传统的TMA相比，灵敏度提高了2倍。由于采用无形状制约的全膨胀方式，因此无论是薄膜或碎片样品均可测定。另外，只须更换探针就可以完成压缩、针入、拉伸等不同的测量模式。多样选择的冷却系统，将便利性和高精度测定结合在一起。 参考价面议

光化学反应量热仪选配项 紫外线照射装置 PDC-7/PDC-7X

差示扫描热量仪的选配项。该选配件是以检测UV固化为代表的光化学反应为目的，可实现对样品固化过程的实时检测，还可对辐照波长、强度的依赖性进行分析。 参考价面议

热电离质谱仪（邻苯二甲酸酯检查用） HM1000A

随着RoHS指令的改订，2019年7月开始，在涂覆电线，绝缘胶带及包装薄膜等产品中被广泛使用的4种邻苯二甲酸酯类物质将被列入为限制对象。 本装置是可以在生产现场，简单迅速地筛选检查邻苯二甲酸酯类物质的机。其操作性优异，处理效率，可以在8小时内连续测量50个样品。 参考价面议

热分析软件 EMA

全新热分析软件EMA（Easy and Multipurpose Analysis）标配适用不同标准规范的向导功能，以及新手也可以轻松操作的简易模式。为满足各类用户的不同需求，EMA新增了一系列功能。对于不熟悉热分析操作的用户来说，使用起来非常简便，对于熟悉操作的用户来说也保持了传统的操作性能。 参考价面议

高性能能量色散型X射线荧光元素分析仪 EA1200VX

一台覆盖了从RoHS/ELV测量筛选到高度分析的X射线荧光分析仪。图标说明 参考价面议

纳米尺度3D光学干涉测量系统 VS1800

纳米尺度3D光学干涉测量系统VS1800应用光干涉现象，对微细的表面形貌进行测量，可实现高性能薄膜、半导体、汽车零配件、显示器等行业所要求的高精度测量。而且还能以无损伤方式进行多层膜的层结构以及层内部的异物测量。 参考价面议

超高分辨肖特基场发射扫描电镜 SU7000

SU7000不仅可以在低加速电压下获得高画质图像，而且还可以同时接收多种信号。此外，它还具备大视野观察、In-Situ观察等FE-SEM的众多性能。SU7000是一台实现了信息获取量大化的新型扫描电镜，可以满足客户的多种观察需求。接下来请欣赏SU7000带来的多*。*左图为包含选配项的SU7000示意图 参考价面议

基于设计数据的计量系统

基于设计数据的计量系统 参考价面议

高解析度FEB测量装置CS4800（CD-SEM）

适用于对应4、6、8英寸晶圆的测量SEM搭载日技术的CD-SEM CS4800兼容4、6、8英寸晶圆的CD测量，提供高解析度的SEM成像，更高的测量精度和快速自动化操作，将有助于提高客户现有生产线的生产力。此外用户可以通过简单的操作处理自动搬送两种不同尺寸的晶圆。 日立计划支持对应碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等各种材料的晶圆，以满足客户对半导体电子器件生产的多样化需求。 参考价面议

高解析度FEB测量装置CG6300（HITACHI CD-SEM）

CG6300提供更高的解析度、测量再现性以及高画质高解析度FEB测量装置（CD-SEM）CG6300通过电子光学系统的全新设计提高了解析度，并进一步提高了测量可重复性和图像画质。 电子显微镜线圈能够选择从对象材料反射出的二次电子和背向散射电子，实现BEOL制程*1的Via-in-trench*2和3D-NAND、DRAM工程中的深沟槽・洞底的尺寸测量。 此外，电子束的扫描速度是前机型的两倍，可以减小Wafer表面带电的影响，更好的获取高解析度图像并能够通过高对比度检测Edge。 还有新设计的芯片 参考价面议

高分辨率FEB测长仪器 CG5000 (HITACHI CD-SEM)

适用于1Xnm级开发以及22nm级量产流程的测长SEM CG5000CG5000革新了运送类系统，并通过对电子光学技术及图像处理技术的改良，实现了有史注1）的分辨率，处理能力，测长再现性。并且该系统还强化了自动校准功能，提供了*稳定的运行率。另外，CG5000采用新测长技术及应用，可应用于使用新流程/新材料时所面临的测长课题，也可全面适用于1Xnm级设备的开发。（注1）自1984年日立的FEB测长装置S-6000问世以来，公司内部设备相比较而言 参考价面议

半导体蚀刻系统9000系列

20纳米世代后的装置对精度和工艺要求非常高，如双重图案和3D构造，以及针对新材料相对应的高精密度复杂制程要求，包含后道处理和形成保护膜等。为了对应这类下一代器件工艺，半导体蚀刻装置9000系列统一了接口并且能够搭载高精度模块化的各种腔室，从而实现了对器件的扩展性和柔软性的工艺。 参考价面议