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二次电子分辨率: 顶位二次电子探测器(2.0 nm at 1kV)＊
高灵敏度: 高效PD-BSD, 的低加速电压性能，低至100 V成像
大束流(>200 nA): 便于高效微区分析
压力可变: 具有优异的低真空(10 -300 Pa)成像性能，配备高灵敏度低真空探测器(UVD)＊
开仓室快速简单换样(样品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)
微区分析: EDS, WDS, EBSD等等
*：
选配附件
| 项目 | 内容 | |
|---|---|---|
| 分辨率 | 1.2 nm @ 30 kV 3.0 nm @ 1 kV 2.0 nm @ 1 kV 减速模式*1 3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2 | |
| 放大倍率 | 10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素) 30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素) | |
| 电子光学系统 | 电子枪 | ZrO /W 肖特基式电子枪 |
| 加速电压 | 0.5 - 30 kV (0.1 kV 步进) | |
| 着陆电压 | 减速模式: 0.1 - 2.0 kV ＊1 | |
| 束流 | > 200 nA | |
| 探测器 | 低位二次电子探测器 | |
| 低真空模式*2 | 真空范围: 10 - 300 Pa | |
| 马达台 | 马达台控制 | 5 - 轴自动 (优中心) |
| 可动范围 | X：0～100mm Y：0～50mm Z：3～65mm T：-20～90° R：360° | |
| 样品尺寸 | 直径: 200 mm 高度: 80 mm | |
| 选配探测器 |
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*1：
减速功能（包含高分辨率顶位二次电子探测器）
*2：
低真空功能（包含5分割半导体探测器）
*3：
空压机(本地采购)
