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HR模式下可实现高分辨观察（半内透镜）
FF模式下可实现高精度加工终点检测（Timesharing Mode）
可通过高电流密度FIB实现快速加工（束流100nA）
用户可根据自身需求设定加工步骤
运用ACE技术（加工位置调整）抑制Curtaining效应
控制离子束的入射角度，制备厚度均匀的薄膜样品
采用低加速（Ar/Xe）离子束，实现低损伤加工
去除镓污染
多接口样品仓（大小接口）
超大防振样品台（150 mm□）
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选配
| 项目 | 内容 | |
|---|---|---|
| FIB | 二次电子像分辨率（C.P） | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
| 加速电压 | 0.5 kV – 30 kV | |
| 探针电流范围 | 0.05 pA – 100 nA | |
| 离子源 | GA液体金属离子源 | |
| SEM | 二次电子像分辨率（C.P） | 1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV |
| 加速电压 | 0.1 kV – 30 kV | |
| 探针电流范围 | 5 pA – 10 nA | |
| 电子枪 | 冷场场发射电子枪 | |
| 标准探测器 | In-Column二次电子探测器 SE（U） In-Column背散射电子探测器 BSE（U） In-Column背散射电子探测器 BSE（L） Chamber二次电子探测器 SE（L） | |
| 驱动范围 （5轴反馈控制） | X | 155 mm |
| Y | 155 mm | |
| Z | 16.5 mm | |
| R | 0 - 360° 旋转 | |
| T | -10～59° | |
| 样品尺寸 | 直径 150 mm | |
| 选配 | Ar/Xe离子束系统 Micro Sampling System 气体注入系统（双室或三室贮气筒）
连续自动加工软件 连续A-TEM2 各种样品杆 EDS（能谱仪） EBSD（电子背散射衍射） | |
