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面议高性能FIB-SEM系统 Ethos NX5000
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面议日立ArBlade 5000离子研磨系统能够实现高产量,并制备广域横截面样品。
离子研磨系统使用通过在表面上照射氩离子束引起的溅射效应来抛光样品的表面。样品预处理系统可以用于电子和材料等各个领域的研发和质量控制等。
与机械抛光不同,离子研磨系统处理样品而不会变形或施加机械应力。因此,用于预处理样品的离子铣削系统的应用范围不断扩大,不仅包括扫描电子显微镜(SEM),还包括原子力显微镜(SPM / AFM)等。离子铣削系统应用范围广泛,日立高新收集了用户在各种领域提供的关键性建议和改进,并将它们纳入到的设计平台。
新推出的ArBlade 5000具有混合研磨功能,能够进行横截面研磨,是日立离子研磨系统的标志。此功能使样品能够根据所需的目的和应用进行预处理。
ArBlade 5000还具有PLUS II离子枪技术设计。这是一种新的氩离子枪,可以实现了1mm/hr以上的截面铣削速度(日立高新的IM4000Plus型号的两倍)。新系统使用户能够在比以前更短的时间内准备横截面,包括陶瓷和金属等硬质材料,这往往需要较长的加工时间。
此外,日立高新开发了全新的宽区域横截面研磨,以实现横截面研磨,研磨宽度为8mm,从而可以制备比以往更大的截面样品。通过与下一代氩离子枪的协同效应,新的ArBlade 5000可以与市场上可用的任何其他离子系统一起制备广域横截面样品。
主要特点
1.能够进行横截面和平面的混合研磨系统。
2.通过PLUS II离子枪技术设计高速氩离子枪实现1mm/hr或更高的横截面研磨速度。
3.通过使用广域横截面研磨,实现宽度达8mm的广域加工。
4.基于采用LCD触摸面板的全新控制系统,增强了可操作性。
通用 | |
---|---|
使用气体 | Ar(氩)气 |
加速电压 | 0~8 kV |
截面研磨 | |
研磨速率(材料Si) | 1 mm/hr*1以上含 1 mm/hr*1 |
研磨宽度 | 8 mm*2 |
样品尺寸 | 20(W) × 12(D) × 7(H) mm |
样品移动范围 | X ±7 mm、Y 0~+3 mm |
离子束间歇加工功能 | 标准配置 |
摆动角度 | ±15°、±30°、±40° |
平面研磨 | |
加工范围 | φ32 mm |
样品尺寸 | φ50 × 25(H) mm |
样品移动范围 | X 0~+5 mm |
离子束间歇加工功能 | 标准配置 |
旋转速度 | 1 r/m、25 r/m |
倾斜角度 | 0~90° |
*1
Si突出遮挡板边缘100 µm,1个小时加工深度
*2
使用广域截面研磨样品座时
项目 | 内容 |
---|---|
高耐磨遮挡板 | 耐磨遮挡板是标准遮挡板的2倍左右(不含钴) |
加工监测用显微镜 | 放大倍率 15×~100× 双目型、三目型(可加装CCD) |