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上海伯东 涡轮分子泵 HiPace 450
上海伯东 涡轮分子泵 HiPace 450, 氢气抽速 340 l/s, 重量轻且占地面积小. 结构紧凑, 大功率设计, 针对小分子气体具有强大的抽吸能力! 参考价￥81600 -
上海伯东代理进口 KRI考夫曼离子源 KDC 100
上海伯东代理美国进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA. 参考价￥624000 -
上海伯东代理KRI 考夫曼离子源 KDC 160
上海伯东代理美国进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列zui大,离子能量zui强的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,zui大电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA. 参考价￥840000 -
上海伯东代理美国 KRI 霍尔离子源 eH200
上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH200 是霍尔离子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本设计离子源. 霍尔离子源 eH200 适用于小型真空腔内, 例如研发分析, 薄膜沉积和离子清洗. 霍尔离子源 eH200 操作简单是理想的生产工具. 参考价￥300000 -
上海伯东代理美国进口 KRI 线性离子源
上海伯东代理美国进口 KRI 线性离子源使用 eH 400 做为模组, 能应用于宽范围的衬底, 离子源长度高达 1 米, 通过严格调整模组间的距离可以实现更佳的均匀性和离子流. 由于模组是平行放置, 大大简化了气体, 功率和电子三者的分布. KRI 线性离子源使用标准的端部霍尔模组并使设备的需求简化, 一个低成本, 高电流和低能量的离子束可以很好的使用于 web 涂层, in-line 沉积 参考价￥360000 -
上海伯东代理进口 KRI 射频离子源 RFICP 40
上海伯东代理美国进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 参考价￥720000 -
上海伯东代理美国KRI 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上高效, 提供更高离子束流的离子源. 参考价￥600000 -
上海伯东代理进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000
上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻. 参考价￥420000 -
上海伯东代理KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100
上海伯东代理美国进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 参考价￥1140000 -
上海伯东代理进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000
上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻. 参考价￥540000 -
上海伯东代理进口 KRI 霍尔离子源 eH 400
上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻. 参考价￥360000 -
上海伯东代理进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理美国进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 参考价￥480000