上海伯东代理美国KRI 霍尔离子源 eH 3000

上海伯东代理美国KRI 霍尔离子源 eH 3000

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2023-01-05 14:37:34
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产品简介

上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上高效, 提供更高离子束流的离子源.

详细介绍

霍尔离子源 eH 3000

KRI 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上高效, 提供更高离子束流的离子源.
尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”
放电电压 / 电流: 50-300V / 20A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

KRI 霍尔离子源 eH 3000 特性
• 水冷 - 加速冷却
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时,zui大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
• 等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 3000 技术参数

型号

eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE

供电

DC magnetic confinement

  - 电压

50-250V VDC

  - 离子源直径

~ 7 cm

  - 阳极结构

模块化

电源控制

eHx-25020A

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

 - 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

  - 阳极

标准或 Grooved

 - 水冷

前板水冷

 - 底座

移动或快接法兰

 - 高度

4.0'

 - 直径

5.7'

 - 加工材料

金属
电介质
半导体

 - 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

 - 安装距离

16-45”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架;

KRI 霍尔离子源 eH 3000 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉积 DD

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专li. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生               


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