上海伯东代理进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000

上海伯东代理进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000

参考价: 订货量:
420000 1

具体成交价以合同协议为准
2023-01-05 14:35:52
312
产品属性
关闭
伯东企业(上海)有限公司

伯东企业(上海)有限公司

免费会员
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.

详细介绍

霍尔离子源 eH 1000

KRI 霍尔离子源 eH 1000
上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, zui大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷
• 等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:

型号

eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO

供电

DC magnetic confinement

  - 电压

40-300V VDC

  - 离子源直径

~ 5 cm

  - 阳极结构

模块化

电源控制

eHx-30010A

配置

-

  - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

  - 阳极

标准或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移动或快接法兰

  - 高度

4.0'

  - 直径

5.7'

  - 加工材料

金属
电介质
半导体

  - 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安装距离

10-36”

  - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

KRI 霍尔离子源 eH 1000 应用领域:
• 离子辅助镀膜 IAD
• 预清洗 Load lock preclean
• 预清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式

上海伯东: 罗先生



上一篇:KRi 大面积射频离子源应用于 12英寸,8英寸 IBE 离子束蚀刻系统 下一篇:KRi 考夫曼离子源表面预清洁Pre-clean 应用
提示

请选择您要拨打的电话: