上海伯东代理进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40

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2023-01-04 15:32:42
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产品简介

上海伯东代理美国进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气.

详细介绍

考夫曼离子源 KDC 40

KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理美国进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数

型号

KDC 40

供电

DC magnetic confinement

 - 阴极灯丝

1

 - 阳极电压

0-100V DC

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用, 自对准

 -栅极直径

4 cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1202

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

 - 架构

移动或快速法兰

 - 高度

6.75'

 - 直径

3.5'

 - 离子束

集中
平行
散设

 -加工材料

金属
电介质
半导体

 -工艺气体

惰性
活性
混合

 -安装距离

6-18”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架


KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生     


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