RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。

RIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为反应离子刻蚀机RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行适当调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。

我司提供多型号的RIE刻蚀系统，满足国内客户研究和生产的需要。

RIE 反应离子蚀刻设备参数:

1.铝材腔体或不锈钢腔体；

2.不锈钢盒；

3.可以刻蚀硅化物(~400 A/min)或金属；

    典型硅刻蚀速率 400 A/min；

4.射频源: 大12”阳极化射频平板(RF)；

5.真空度:大约20分钟内达到1E-6Torr,极限真空5E-7Torr；

6.双刻蚀容量：RIE和等离子刻蚀；

7.气动升降盖；

8.手动/全自动装卸样品；

9.预抽真空室；

10.电脑控制

11.选配ICP源和平台的低温冷却实现深硅刻蚀。

反应离子蚀刻系统可选配：

1. 超高700W的高密度等离子源进行各向同性蚀刻(isotropic etching)；

2. ICP等离子源，2KW射频电源及调谐器；

3. 低温基底冷却(Cryogenic substrate cooling)；

4. 终点探测(End point detection) ；

5. 兰缪尔探针；

6. 静电卡盘(Electrostatic chuck)；

7. 附加MFC’s；

8. 1KW射频电流源及调谐器；

9. 低频电流源及调谐器；

深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System)

反应离子刻蚀机RIE带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘，柜体为不锈钢材质。反应腔体为13英寸铝制、从顶端打开方便晶片装载取出，大可进行8英寸直径样品实验，带有两个舱门：一个舱门带有2英寸视窗，另一个舱门用于终点探测及其他诊断。腔体可达到10^-6 Torr压力或更高，自直流偏置连续监控、大可达到500伏偏电压(各向异性蚀刻)。该反应离子蚀刻系统为*由计算机控制的全自动设备。

DRIE系列深反应离子蚀刻系统带有低温晶片冷却及偏置压盘，设备使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的涡轮泵，在10^-3Torr压力范围运行。