PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).

我司按照客户不同的应用需求，提供高质量的PECVD满足不同的研究生产需求。

我司提供的PECVD系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。大沉积尺寸为12英寸。

通常选用射频淋浴源(RF)或带有不规则气体分布的空心阴极射频等离子体源作为反应源产生等粒子体。

部分PECVD可以升级到PECVD & 反应离子蚀刻双功能系统(带ICP源)。

等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)系统参数：

• 腔体极限真空度:10^-7 torr；

• 等粒子源: 射频淋浴源（RF）、空心阴*密度等离子体源（HCD）、感应耦合等离子体源(ICP)或微波等离子体源, VHF（甚高频）电源

• 衬体直径:大12” (300 mm)直径

• 带RF偏压的衬底托；

• 加热温度:高达800°C；

• 高达8路MFC和多样化的气体选择；

• 均匀性：≤±3%；

• 预抽真空室和自动晶片装卸门；

• 全自动控制；

等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)应用领域：

• 等离子诱导表面改性；

• 等离子清洗；

• 等离子聚合；

• SiO2, Si3N4, DLC及其它薄膜；

• 碳纳米管(CNT)的选择性生长。