STD2000半导体参数测试仪
半导体参数测试仪能测试很多电子元器件的静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)) 参考价¥259000STD2000IV曲线追踪扫描仪半导体图示仪
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件静态参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线 参考价¥259000ST-HeatX半导体热阻抗系统_天士立科技热特性测试仪
半导体热特性热阻抗测试仪系统_陕西天士立科技研发生产_平替T3Ster_Phase11热特性测试仪。产品符合JESD 51-1、JESD 51-14标准,用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出 参考价¥985000STD2000半导体分立器件静态参数测试仪系统
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件静态参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf… 参考价¥259000STA3500IGBT模块动态特性测试系统
IGBT模块动态特性测试系统STA3500高压源/VCC:1500V/3300V/5000V/10KV.高流源/IC:600A/1500A/3000A/6000A/10KA.短路电流/Isc:3000A/6000A/10KA(5-50µs).驱动电压/VGE:±0.5~30V/±0.5~50V 参考价¥1000000STA1200晶体管动态特性测试系统
体管动态特性测试系统STA1200专注宽禁带功率器件动态参数评测,软件程控,测试条件界面化输入,系统闭环处理,自动调节一键测试,采用光纤驱动信号通讯,响应速度快,抗ganrao能力强,自动加热可由室温~200℃,精度±0.1℃ 参考价¥980000STD6500IGBT模块直流参数测试系统
IGBT模块直流参数测试系统STD65001. 用于大功率IGBT和Diode模块的静态直流参数测试。电压10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV;电流10KA,5KA,2400A,1600A。智能化、自动式操作基于“测试主机”“计算机程控系统”“气动工装”协调完成。DUT连接“气动工装”“软连接”均可 参考价¥550000STD2000晶体管直流参数测试系统
晶体管直流参数测试系统STD2000具有优秀的性能应对第三代半导体及传统器件可以测试Si,sic,GaN器件,覆盖25类常见的电子元器件及IC类,且支持定制扩展,功能丰富,轻松表征元器件“静态特性”“IV曲线”“Cxss”“CV”,分析筛选:功能全面,配置丰富,胜任实验室场景中各类电参数表征 参考价¥259000STO1400光耦直流参数测试仪
光耦直流参数测试仪STO1400可测试各类三极管型的光电耦合器。 1通道、10档位,源自飞思卡尔16位单片机编程STD1600元器件直流参数测试仪
元器件直流参数测试仪STD1600可以测试Diode、BJC、SCR、IGBT、MOSFET、JFET、三端稳压IC、基准IC等,电压MAX1600V,电流MAX2A。测试参数:耐压、压降、放大倍数、开启电压、导通内阻、输出电压、饱和电流、夹断电压、正向跨导、触发电流、维持电流 参考价¥19800STO1400光耦测试仪
STO1400光耦测试仪是一款布局紧凑、功能全面、界面友好、操作简洁的单机测试仪器。专为各类光耦参数测试而设计开发,可测试各类单通道、双通道、多通道的模拟光耦,数字光耦,高速光耦,线性光耦等。测试参数包括“耐压BVCEO/BVECO”、“输入正向压降 VF”、“输出端反向漏电流 ICEO”、“反向漏电流 IR”、“电流传输比 CTR”、“输出导通压降 VCE(sat)”“开关时间”. 参考价¥19800