半导体分立器件静态参数测试仪系统
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STD2000半导体分立器件静态参数测试仪系统

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259000 1

具体成交价以合同协议为准
2024-04-24 15:17:22
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陕西天士立科技有限公司

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产品简介

陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件静态参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf…

详细介绍

半导体分立器件静态参数测试仪系统


陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件静态参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBTMosfetDiodeBJTSCROC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、内阻Rds(on))以及IV特性曲线等


 

一、产品信息及规格

产品型号:STD2000

产品名称:半导体分立器件静态参数测试仪系统

主机尺寸:深660*430*210(mm)

主机重量:<35kg

主机功耗:<300W

海拔高度:海拔不超过 4000m

环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);

相对湿度: 20%RH75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下)

大气压力:86Kpa106Kpa

防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;

电网要求:AC220V、±10%50Hz±1Hz

工作时间:连续;

半导体分立器件静态参数测试仪系统


 

二、产品特点

三代半:优秀的性能应对第三代半导体及传统器件,Si, sic,GaN 器件

测试品类:覆盖 25 类常见的电子元器件及 IC 类,且支持定制扩展

功能丰富:轻松表征元器件“静态特性”“IV 曲线”“Cxss”“CV

分析筛选:功能全面,配置丰富,胜任实验室场景中各类电参数表征

量产测试:1h高达 7K~12K 的测试效率,可连接“分选机”“编带机”Prober 接口、16Bin

一键加热:一键脉冲自动加热至+130°C,耗时< 1s

高压源:1400V (选配2KV)

高流源:40A(选配100A,200A,500A)

驱动电压:20V/10uA~100mA (选配+40V/10uA~100mA)

漏电测量:1nA 漏电持续稳定测量,表现出优秀的一致性和稳定性,更有1.5pA 微电流测量选件可供选择。

高精度:16 ADC/DAC0.1%精度,1M/S 采样速率

程控软件:基于Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面

夹具工装:适配各类封装形式的器件,自动识别器件极性 NPN/PNP

校准:系统自带校准软件,也可通过RS232 接口连接数字表进行校验

 

三、测试范围

01. Diode / 二极管(稳压、瞬态、三端 肖特基、TVS、整流桥、三相整流桥)

02. BJT / 三极管

03. Mosfet & JFET / 场效应管

04. SCR / 可控硅(单向/双向)

05. IGBT / 绝缘栅双极大功率晶体管

06. OC / 光耦 07. Relay / 继电器

08. Darlington tube / 达林顿阵列

09. Current sensor/电流传感器

10. 基准 IC(TL431)

11. 电压复位IC

12. 稳压器(三端/四端)

13. 三端开关功率驱动器

14. 七端半桥驱动器

15. 高边功率开关

16. 电压保护器(单组/双组)

17. 开关稳压集成器

18. 压敏电阻

19.电压监控器

四、测试参数

漏电参数:IRICBOLCEO/S/XIDSS/XIDOFFIDRMIRRMICOFFIDGOICESIGESFIGESRIEBOIGSSFIGSSRIGSSIGKOIR(OPTO)

击穿参数:BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSSVDBVCBOVDRMVRRMVBBBVR VD+VD-BVDGOBVZBVEBOBVGSSBVGKO

导通参数:VCESATVBESATVBEONVFVTVT+VT-VONVDSONVDONVGSONVF(Opto-Diode)VGSTHVTMVGETHVSDIDONVSATIDONVO(Regulator)Notch = IGT1IGT4ICONVGEONIIN(Regulator)

关断参数:VGSOFF

触发参数:IGTVGT

保持参数:IHIH+IH-

锁定参数:ILIL+IL-

增益参数:hFECTRgFS

间接参数:IL

混合参数:RDSONgFSInput@Output / Regulation

五、应用场景

1测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试主要功能为曲线追踪仪

2失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案)

3选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)

4来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)

5量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)

6替代进口半导体分立器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品)


半导体分立器件静态参数测试仪系统

 

 

六、性能指标

 

半导体分立器件静态参数测试仪系统


 

 


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