在众多的薄膜制备方法中，脉冲激光沉积技术的应用较为广泛，可用来制备金属、半导体、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各种物质薄膜，甚至还用来制备一些难以合成的材料膜，如金刚石、立方氮化物膜等。

PLD系统的核心技术一直被国外垄断，以往的国产系统在性能上与进口设备存在较大差距。我们的研发团队通过与国内科研机构协作，共同开发出了性能优异的PLD系统。我公司开发的一台脉冲激光沉积系统（PLD）已顺利交付用户（清华大学）使用，并获得用户的好评。

脉冲激光沉积系统（PLD）

脉冲激光沉积系统配置：

• 生长室，进样室可选

• 水平、垂直两种靶台可选

• 激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热温度高至1200℃

• 工艺气路可以任意搭配

• 配备高压RHEED，工作气压可达100Pa

• 可预留法兰，用于LEED，K-Cell, E-beam等

• 其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等

脉冲激光沉积系统特点及优势：

• 可根据客户需求定制产品，灵活性高，并提供专业的技术支持；

• 靶台多可以安装6个靶位，靶材更换灵活；

• 样品台样品尺寸从10x10mm样品到2英寸样品均适用；

• 进样室可以存储多个靶和样品；

• 交易过程无需繁琐的进、出关手续, 交货期短，性价比高；

另外，我们还提供不含RHEED的简易PLD系统，并可根据用户的要求定制