KRI 离子源用于IR-cut红外滤光片制备
时间：2024-01-09 阅读：180
红外截止滤光片 (IRCF) 是利用精密光学镀膜技术在光学基片上交替镀上高低折射率的光学膜, 实现可见光区（400nm-630nm）高透, 近红外（700nm-1100nm）截止的光学滤光片, 主要应用于可拍照手机摄像头、电脑内置摄像头、汽车摄像头和安防摄像头等数码成像领域, 用于消除红外光线对 CCD/CMOS 成像的影响. 通过在成像系统中加入红外截止滤光片, 阻挡该部分干扰成像质量的红外光, 可以使所成影像更加符合人眼的感觉. 上海伯东某客户为精密光学镀膜产品生产商, 经过伯东推荐选用国产镀膜机加装美国进口 KRi 霍尔离子源完成 IR-cut 工艺过程, 保证工艺效果, 提高生产效率.
KRI 离子源用于IR-cut红外滤光片制备
1. 应用方向: 离子清洗, 辅助沉积
2. 镀膜机型: 1米7 的大型蒸镀设备, 配置美国 KRi 霍尔离子源 eH 3000
3. 测试环境: 80C / 80% 湿度, 85C / 95% 湿度, 连续 1,500 小时高温高湿严苛环境测试
4. 镀膜材料: Ti305+Si02
结果表明采用上海伯东美国进口 KRI 霍尔离子源, 可以获得较高折射率的TI3O5膜层, 通过多次验证, KRI 离子源辅助镀膜可以获得稳定的膜层结构.
美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护.
霍尔离子源 eH 系列在售型号:
型号 | eH400 | eH1000 | eH2000 | eH3000 | eH Linear |
中和器 | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F |
阳极电压 | 50-300 V | 50-300 V | 50-300 V | 50-250 V | 50-300 V |
离子束流 | 5A | 10A | 10A | 20A | 根据实际应用 |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
气体流量 | 2-25 sccm | 2-50 sccm | 2-75 sccm | 5-100 sccm | 根据实际应用 |
本体高度 | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ | 根据实际应用 |
直径 | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ | 根据实际应用 |
水冷 | 可选 | 可选 | 是 | 可选 | 根据实际应用 |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗小姐