霍尔效应传感器(磁场测量传感器)

霍尔效应传感器(磁场测量传感器)

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具体成交价以合同协议为准
2023-02-09 17:06:58
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杭州谱镭光电技术有限公司

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产品简介

霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。

详细介绍

 

霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。

 

霍尔效应传感器(磁场测量传感器)

Figure 1. sensor on test assembly

 

产品特点:

•   超高分辨率

•   超低噪音性能

•   可在极低温条件下使用

•   大动态范围

•   高线性

•   超低功耗运行

 

 

简述:

利用石墨烯固有的低噪声特性,无需信号调节即可提供出色的场分辨率。石墨烯的二维性质 很大程度地降低了平面霍尔效应,并且石墨烯的稳定性和电子 迁移率提供了 的温度和磁场工作范围。

 

应用包括:

•   精密磁场测量

•   场梯度和边缘场的精确映射

•    高精度位置,旋转和速度感应

•   低温下的超低功率场测量

 

优点:

可满足各种应用需求。可以利用的优点包括

•   可以在 < 1.8 K - 353 K的温度下运行

•   在大磁场范围(> 9 T)内ppb磁场变化的分辨率

•   低至 10 nA的工作电流,节省了功率,仅产生5 pW的散热

•   平面霍尔效应可忽略不计,有助于精确地确定仪器的摆放位置场方向

 

需要特定要求,请联系我们info<info>

 

性能特点:

Parameter

Symbol

Value (typical)

Unit

Notes

Maximum operating temperature range

T

1.8 to 353

K

Performance guaranteed within this range. Operation <1.8 K is possible

Measurable field range

B

>+/- 9

T

See Fig.2. At 1.8K, 0-9 T is possible with reduced linearity

Open Circuit Sensitivity

S

1100

V/AT

@ room temperature. see Fig 3 for change with temperature

Open Circuit Hall Voltage

VH

110

mV

I=IN and B=1 T, increases with reducing temperature

 

 

Spectral Noise Density

 

 

SDT

7

 

         

µ𝑇√𝐻𝑧

10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

0.7

1 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

0.3

10 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

0.07

100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

 

Resolution, based on SDT on a 1 T field

 

RSND

7

 

ppm

10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

0.7

1 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

0.3

10 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

0.07

100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

RMS noise

T2

40

T

0.1 – 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

28

10 – 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)

Linearity of Hall Voltage

% of full scale

FL

<0.5

%

-1 to 1 T. See Fig 2 for full 0-9 T range

Corrected Linearity

 

<0.01

%

-1 to 1 T, after 3rd order correction

Planar Hall Effect

HPL

<10

µT

At I=IN , 1 T

Nominal Supply Current

IN

0.1

mA

Can be operated down to I=10 nA

Maximum Supply Current

Imax

1

mA

 

Supply Side Internal Resistance

RIN

22

kΩ

B=0 T

Hall Side Internal Resistance

ROUT

22

kΩ

B=0 T

 

Offset Voltage

 

VR0

8

mV

Typical offset voltage at I=IN and B=0 T

0.6

mV

Min offset voltage at I=IN and B=0 T

34

mV

Max offset voltage at I=IN and B=0 T

Temperature Coefficient of Sensitivity

TCS

-4.7

V/AT/K

@ room temperature, IN

 

 

高场和低温性能

图片1

                        Figure 2. Hall Voltage output at 295 K, from 0 to 9 T

 

图片2

Figure 3. Sensitivity as a function of temperature from 1.8 K to 300 K. Measured at 1T.

 

 

封装信息

有效面积:1.3 x 1.3 mm 位于封装的中心封装类型: 20-pin LCC, 陶瓷,无镍, 表面贴焊。

 

Pin

Notes

VIN+

1 or 11

Input voltage can be supplied with either

polarity

VIN-

11 or 1

VH+

6 or 16

Hall voltage polarity will

depend on VIN polarity and field polarity

VH-

16 or 6

 

 

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