实时原位薄膜应力仪：同样采用*的MOS技术，可装在各种真空沉积设备上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），对于薄膜生长过程中的应力变化进行实时原位测量和二维成像分析；

技术参数：

薄膜应力测量系统，薄膜应力测试仪，薄膜应力计，薄膜应力仪，Film Stress Tester, Film Stress Measurement System;

1.XY双向程序控制扫描平台扫描范围：200mm；300mm (XY)（可选）；

2.XY双向扫描速度：zui大20mm/s；

3.XY双向扫描平台扫描zui小步进/分辨率：2 μm ；

4.薄膜应力测量范围：5×10⁵到4×10¹⁰dynes/cm²（或者5×104Pa to 4×109Pa）；

5.薄膜应力测量分辨率：优于0.1MPa;

6.测量精度：优于±0.1%；

7.测量重复性：优于0.1%；

8.平均曲率分辨率：< 2e-5 (1/m) 1-sigma (100km radius) ；

9.平均曲率重复性：<2×10e-5 1/m；

主要特点：

1.程序化控制扫描模式：单点扫描、选定区域、多点线性扫描、全面积扫描；

2.成像功能：样品表面2D曲率成像，定量薄膜应力2D成像分析； 
3.测量功能：薄膜应力、翘曲、曲率半径等；
4.支持变温热应力测量功能，温度范围-65C to 1000C；
5.薄膜残余应力测量；