中科院光电所-双面对准紫外光刻机

中科院光电所-双面对准紫外光刻机

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2024-09-27 13:44:07
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产品简介

曝光光源采用进口紫外LED及光源整形模块,热量小,光源稳定性好;◆采用技术-积木错位蝇眼透镜消衍射和线条陡直增强技术,曝光图形质量好,光刻分辨力高;采用i线(365 nm)紫外曝光光源和的光学系统实现高均匀照明,光源聚光角小、平行性好;◆采用创的CCD图像底面对准实现双面对准单曝光头正面曝光对准功能;◆采用新颖的高精度、多自由度掩模一样片精密对准工件台结构,掩模与样片对准过程直观,套刻对准速度快、精度高;◆样片的放置采用推拉式基准平板、真空吸附式,操作方便;◆配备双目双视显微镜和CCD图像对准系统,采用22寸宽屏波晶显示器,可同时观察实时对准过程也可存储记录曝光结果;◆曝光参数设定采用计算机控制,智能化过程操作,菜单界面友好;◆支持真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光、接近式曝光四种曝光功能;关键器件采用进口国际品牌产品,整机可靠性高;

详细介绍

一、公司介绍

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光电技术研究所始建于1970年,坐落在四川省成都市南郊,是在西南地区大的研究所,定位于科研基地型研究所之一。

微光学与微电子光学装备技术研究是光电技术研究所的重点发展学科之一,设有“微电子专用设备研制总体研究室”与“做细加工光学技术国家重点实验室”。五十多年来,一直致力于微电子光学与微细加工光学装备的技术攻关与研制,不仅拥有一支总体设计水平高,光、机、电配套,经验丰富的科研队伍,还有一支实力雄厚的试制加工、工艺和测试力量,为研发生产和拓展微电子技术装备定了坚实的基础。曾先后园满完成了国家科技重大专项、国家973、国家863、自然科学基金、国的多项重大科技项目的攻关与研制,在我国微电子装备的研制与微细加工技术攻关与创新等方面,取得了包括国家科技进步奖在内的多项丰硕成果。目前,在知识创新工程机制的激励下,一支以中青年博士、硕士为主体的攻关与研发技术骨干队伍正在充分发挥技术带头人和创新、创业人才的作用,在发展我国微电子装备技术与研发中做出新的贡献。

近年创新研发的具有自主知识产权的URE2000型系列单双面外光刻机、无模数字光机、纳米压印光刻机、投影光刻机等特色的微细加工光学装备,以其突出的功能、可掌地品质、的技术和优质的服务,受到国内外众多用户的青睐,在微细加工技术科学领域受到广泛好评。面对新的发展,我们将以“团结、诚信、进取、创新”之理念,开拓进取力创辉煌,欢迎各界朋友精诚合作,携手共进,协力发展,共创未来。

二、URE-2000系列紫外光刻机技术指标

l  光源类型: LED光源

l  曝光面积:160 mm×160 mm

l  曝光波长:365 nm:≥30 mW/cm²,光强数字连续可调

l  分辨力:1 μm

l  对准精度:±1 μm(单面),±2 mm(双面,片厚0.8mm

l  掩模尺寸: 2.5英寸、3英寸、4英寸、5英寸、7英寸

l  样片尺寸: 样片尺寸:直径f10mm-- f150mm(各种不规则片),厚度可适应0.1mm--2mm

l  曝光方式:定时(倒计时方式0.1s-999.9s任意设定)

l  调平接触压力通过传感器保证重复

l  数字设定对准间隙和曝光间隙

l  正面双目双视场对准显微镜:既可通过目镜目视对准,也可通过CCD+显示器对准,光学合像,光学倍数400倍,光学+电子放大800物镜三对:4倍、10倍、20目镜三对:10倍、16倍、20

l  底面面对准:采用双显微物镜+CCD+采集卡+计算机合像,物镜轴距范围10mm-140mm

l  具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光,以及接近式曝光四种功能

l  照明不均匀性:±2%Ф100 mm 范围),±3%Ф150 mm 范围)

l  掩模相对于样片运动行程:

 X:优于±5mm;   Y:优于±5mm;  q:优于±6°

l  光源平行性:≤2.5°

 

2.外形尺寸:约1400mm(长)´1200mm() ´2000mm(高)


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