反色率、色度、膜厚测量仪

反色率、色度、膜厚测量仪

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2015-12-24 15:00:00
450
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北京羲和阳光科技发展有限公司

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产品简介

XH-LAB-RC是一款很好的化学制绒工艺测量,分析和工艺优化的工具,同时也可以测量镀膜后硅片的膜厚和颜色。可进行双面x,y全自动测量;保证测量的精准度。

详细介绍

反色率、色度、膜厚测试仪

 
裸片及镀膜片 全光谱 反色率、色度、膜厚测量仪

型号: XH-LAB-RC
硅晶电池片表面制绒效果对电池片效率提高扮演着非常重要的角色。电池片的制绒减少了因为反射而丢失的光,并且对电池片的钝化效果也有很大的影响。另外就制绒工艺本身来讲,硅片材料和硅片切割效果对其也有影响。因此,很有必要获得制绒效果的详细信息,从制绒后整理体反射率光谱的精确测量可以获得这些重要的信息。

XH-LAB-RC是一款很好的化学制绒工艺测量,分析和工艺优化的工具,同时也可以测量镀膜后硅片的膜厚和颜色。可进行双面x,y全自动测量;保证测量的精准度。

系统使用简单,无需操作人员具有专业的技能。因为系统有手动的单轴移动平台,所以能快速进行线性扫描。用户可以在移动的硅片上进行连续性测量,也可以测量硅片上的固定点。系统可自动生成测试报告并存储数据。

测量原理    

系统利用一个宽频谱的卤素灯作为光源,反射光被特别设计的积分球收集并探测,积分球通过光纤与一个高精度光谱仪连接。不管样品表面是绒面还是抛光面,所有的反射光和散射光都会被收集测量,整体光谱反射率的值及变动情况可以用来管控硅片的制绒工艺,同时可以测量出镀膜硅片的总的反射损失。通过标准逻辑运算,可计算出在不同颜色空间的颜色值,如Lab,xyY颜色空间等。

薄膜的上表面和下表面反色光由于相位不同而发生干涉,干涉光谱的频率与膜厚是成正比的。这种现象用来计算硅片的膜厚。的计算方法是通过拟合测量光谱和薄膜理论光谱,使其吻合,计算出薄膜的实际厚度。

系统特点    

全波段整体反射率测量
任意波段zui小反射率及对应波长测量
自定义单一波长反射率测量
任意波段平均反射率测量
镀膜膜层厚度测量
色度计算
集成参考校正片
用户自定门限设置
Goog/Bad指示
手动单轴测试台
手动全硅片Mapping
测量速度快, <0.8s /点
可以提供第三方认证标片(选项)
裸片和镀膜片的测量:
     -离线
     -非接触式
     -静态单点测量
测量参数:
     -反射率: r(全光谱)
     -色度: c(Lab, xyY , ...)
     -膜厚 r(镀膜片)
应用范围:
     -多晶(抛光、粗糙、绒化)
     -单晶(抛光、粗糙、绒化)
     -125mm×125mm / 156mm×156mm
应用在所有向光制绒工艺
     -化学蚀刻(酸/碱)
     -RIE(离子反应蚀刻)
操作简单
     -只需点击测量按钮,即出测量结果
     -手动单轴移动测试台,可全硅片Mapping
     -线性扫描简单


技术参数    

测量参数: 反射率/膜厚/色度
反射率范围: 0-*
波长范围: 380-1070nm
siN膜厚: 25-120nm
siO膜厚: 35-169nm
反射率精度: ±0.1%
反射率重复性: <0.05%
膜厚精度:±1nm
膜厚重复性: ±0.2nm
色度表达: Lab/xyY/XYZ/Lch
色度精度: x,y 3 σ±0.004/Y3σ±0.5
色度重复性:x,y 3 σ<0.002/Y3σ<0.2
测量光斑: ~8mm
测量速度: 0.8s/点
硅片尺寸: 156mm×156mm/ 125mm×125mm/ 圆形或更小
样品台: 310*160mm
环境温度: 15-35℃
湿度: <90%
电源: AC100-240;50/60Hz
PC要求: WindoP, 2GB RAM, >100GB HDD

硅片 镀膜后

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