产品介绍

仪器简介：

光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)

原产国: 韩国，能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比

型号：KCMA-100；

又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；

ECOPIA为*的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多*企业、研发中心、研究所和高校所采用；以不错的技术、*的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。

感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！

此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用欧司朗紫外灯，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！

目前，上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产，证明其品质达到LED产业标准要求！！而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻工艺设备.

技术参数：

- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；

- 光束均匀性：<±3%；

- 曝光时间可调范围：0.1 to 999.9秒；

- 对准精度：0.6-1微米

- 分辨率：1微米；

- 光束输出强度：15-25mW/cm2；

项目 技术规格

曝光系统(Exposure System)

MDA-400M型 光源功率 350W UV Exposure Light source with Power supply

分辨率 - Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )

- Hard Contact : 1um

- Soft contact : 2um

- 20um Proximity: 5um

大光束尺寸 4.25×4.25 inch

光束均匀性 ≤ ±3% (4inch standard)

光束强度 15~20mW/cm2 (365nm Intensity)

曝光时间可调整 0.1 to 999.9 sec

对准系统(Alignment System) 对准精度 1um

对准间隙 手动调节(数字显示)

光刻模式 真空, 硬接触, 软接触，渐进（Proximity）

卡盘水平调节 楔形错误补偿Wedge Error Compensation

真空卡盘移动 X, Y: 10 mm, Theta: ±5°

Z向移动范围 10mm

接近调整步幅 1um

样品(Sample) 基底 Substrate 2, 3, 4 inch

掩模板尺寸 4 and 5 inch

Utilities 真空 Vacuum < -200 mbar (系统包含真空泵)

压缩空气 CDA > 5Kg/cm2

氮气 N2 >3Kg/cm2

电源 Electricity 220V, 15A, 1Phase

显微镜及显示器

CCD and Monitor Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x;

光刻机 / 紫外曝光机 (Mask Aligner)的主要特点：

- 光源强度可控；

- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；

- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；

- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；

- 真空吸盘范围可调；

- 技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式

- 两个CCD显微镜系统，大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。

- 特殊的基底卡盘可定做；

- 具有楔形补偿功能；