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使用切片方式制备像纸张、纤维等软材料截面样品，容易使样品变形错位；机械抛光处理的样品表面经常也会留下划痕、污染和表面应力，对样品的形貌观察和结构分析带来不利影响。日立新推出的IM4000离子研磨仪既可以对样品进行氩离子截面切割，可以进行氩离子平面研磨，是截面样品制备和平面样品无应力抛光的理想工具。
日立高新离子研磨装置IM4000具有断面加工和平面研磨功能的混合仪器！
日立高新离子研磨装置IM4000的混合模式带有两种研磨配置：
断面加工：将样品断面研磨光滑，便于表面以下结构高分辨成像。
平面研磨：将样品表面均匀研磨5平方毫米，从不同角度有选择地研磨，以便突出样品的表面特性。
日立高新离子研磨装置IM4000的高通量能提高加工效率：
与之前的E-3500型相比，采用新型离子枪设计，减少了横截面研磨时间。（zui大加工率：硅元素为300微米/小时 — 加工时间减少了66%。
日立高新离子研磨装置IM4000的可拆卸样品台装置：为便于样品设置和定义研磨边缘，可将样品台装置拆卸。
日立高新离子研磨装置特点
混合模式：两种研磨配置
断面加工：将样品断面研磨光滑，便于表面高分辨观察
平面研磨：不同角度有选择地，大面积，均匀地研磨5 mm的平面，以突显样品的表面特性
高效：提高加工效率
与之前的E-3500型相比，采用新型离子枪设计，减少了横截面研磨时间
(zui大加工速度：硅材质为300 μm/h - 加工时间减少了66%)
可拆卸式样品台：
为便于样品设置和边缘研磨，样品台设计为可拆卸型
| 項目 | 内容 | |
| 平面研磨 | 截面研磨 | |
| 使用气体 | 氩气 | |
| 加速电压 | 0 ～ 6 kV | |
| zui大加工速率（材料Si） | 约20 m/h＊1 约2 m/h＊2 | 约300 m/h＊3 |
| zui大样品尺寸 | φ50×25（H）mm | 20（W）×12（D）×7（H）mm |
| 样品移动范围 | X : 0 ～ +5 mm | X :±7 mm、Y : 0 ～ +3 mm |
| 旋转速度 | 1 r/min、 25 r/min | - |
| 摆动角度 | ±60°、±90° | ±15°、±30°、±40° |
| 倾斜角度 | 0～90° | - |
| 氩气（Ar）流量控制方式 | 质量流量计（Mass Flow Controller） | |
| 真空系统 | 涡轮分子泵（33 L/s）＋机械泵（135 L/min(50 Hz）、162 L/min（60 Hz）） | |
| 装置尺寸 | 616（W）×705（D）×312（H）mm | |
| 重量 | 主机48 kg＋机械泵28 kg | |
| 选配 | ||
| 加工观测用显微镜 | 倍率 ：15× ～ 100× 双目型、三目型（可加装CCD） | |
| 真空转移盒单元 | 旋盖式（O形圈密封）密闭样品，样品仓内打开旋盖 | |
| 冷却系统＊4 | 使用液氮间接冷却样品 ；冷却Mask温度 ：-30℃以下＊5 ；配有恢复到室温的控制器 | |
＊1 ：照射角 0° 偏心量 0 mm ＊2 ：照射角 60° 偏心量 4 mm ＊3 ：Si片突出遮挡板（Mask）边缘100 m加工时的zui大深度 ＊4 ：不能后装，需出厂时配置 ＊5 ：加入液氮30分钟后遮挡板（Mask）的温度
