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　　飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)，也叫静态二次离子质谱，是飞行时间和二次离子质谱结合的一种新的表面分析技术。TOF-SIMS具有高分辨、高灵敏度、精确质量测定等性能，是目前高技术领域广泛使用的分析技术。
 

　　非常灵敏的表面分析手段。其凭借质谱分析、二维成像分析、深度元素分析等功能，广泛应用于医学、细胞学、地质矿物学、微电子、材料化学、纳米科学、生命科学等领域。
 

　　TOF-SIMS主要通过离子源发射离子束溅射样品表面进行分析。离子束作为一次离子源，经过一次离子光学系统的聚焦和传输，到达样品表面。样品表面经过溅射，产生二次离子，系统将产生的二次离子提取和聚焦，并将二次离子送入离子飞行系统。在离子飞行系统中，不同种类的二次离子由于质荷比不同，飞行速度也不同，在飞行系统分离，通过检测这些离子进行相关分析[1]。
 

　　二次离子质谱主要利用质谱法区分一次离子溅射样品表面后产生的二次离子，可用来分析样品表面元素成分和分布。
 

　　飞行时间分析技术利用不同离子的质荷比不同造成的飞行速度不同来区分不同种类的离子。
 

　　TOF-SIMS结合了二次离子质谱和飞行时间器的功能，提高了检测样品元素成分和分布的准确性。
 

　　TOF-SIMS横向和纵向的分辨率高且质谱提供的灵敏度高，可以分析元素、同位素、分子等信息。
 

　　这些特点使得TOF-SIMS成为表面分析的主要技术之一，可以提供EDX、AES、XPS等技术无法提供的元素信息。