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基型技术指标：
● 温度控制：
   控温范围：室温上7℃～400℃（增量1℃）
   控温对象：柱箱、离子化室、热导池、进样器A、进样器B、辅助（备用）
   程升阶数：五阶
   程升速率：0.1℃～40℃/min（增量0.1℃）
● 火焰离子化检测器（FID）：
   检测限：DFID≤1×10-11g/s（样品：C16）
   测试结果：DFID≤5×10-12g/s
   基线噪声：≤5×10-14A
   基线漂移：≤6×10-13A/h
   线性范围：≥106