TC-Wafer等离子蚀刻晶圆温度测量系统
产品简介
详细信息
TC-Wafer等离子蚀刻晶圆温度测量系统
等离子蚀刻是什么？
等离子体蚀刻是使用等离子体工艺从衬底表面清洗或去除材料的过程。
温度对等离子蚀刻的影响：
蚀刻速率： 温度可以影响等离子体中离子的能量和移动性，从而影响蚀刻速率。一般来说，温度升高会增加离子的动能，导致蚀刻速率的增加。
选择性： 温度的变化可能影响不同材料的蚀刻速率，从而影响选择性。在一些情况下，调整温度可以优化特定材料的选择性蚀刻。
表面质量： 温度的变化可能影响表面的化学反应速率，从而影响蚀刻的表面质量。过高或过低的温度可能导致不理想的表面结构。
边缘效应： 温度变化可能引起边缘效应，即在材料的边缘区域蚀刻速率不同于中心区域，影响结构的精度和均匀性。
TC-Wafer等离子蚀刻晶圆温度测量系统产品用途
TC-Wafer是将高精度温度传感器镶嵌在晶圆表面，对晶圆表面的温度进行实时测量。通过晶圆的测温点了解特定位置晶圆的真实温度，以及晶圆整体的温度分布，同还可以监控半导体设备控温过程中晶圆发生的温度变化，获得升温、降温以及恒温过程期间的温度温度数据，从而了解半导体设备的温度均匀度。
合肥智测电子致力于高精度温测、温控设备的生产和研发定制，为半导体设备提供可靠的国产解决方案。
产品特点
- 传输通道数量可定制
- 优异的软件功能，可用图形及颜色显示温度分布状况
- 数据可储存调用
- 可提供温度曲线图，方便直观的看到温度变化趋势
- 真空环境下，温度传感器保持高精度和良好的稳定性
TC-Wafer等离子蚀刻晶圆温度测量系统