B-M-1030 砷化铝/砷化镓布拉格反射镜
产品简介
作为衬底的单晶GaAs砷化镓晶片具有非常光滑的表面和55W /（m * K）的良好导热率。它可以被切成小的方块或矩形芯片。
详细信息
砷化铝/砷化镓布拉格反射镜AlAs/GaAs Bragg mirrors
如果需要尺寸仅为几毫米的非常小的高反射镜，选用在GaAs芯片上的单晶AlAs / GaAs布拉格反射镜是比较合适的。
作为衬底的单晶GaAs砷化镓晶片具有非常光滑的表面和55W /（m * K）的良好导热率。它可以被切成小的方块或矩形芯片。
我们提供未安装的布拉格反射镜，标准基板厚度为450um。
可用芯片尺寸：
• 4.0mmx 4.0mm
• 2.0mm×2.0mm
•1.3mm×1.3mm
可根据要求定制尺寸
1030nm 砷化铝/砷化镓布拉格反射镜AlAs/GAAs Bragg mirrors
| BM-1030nm-4x4 | BM-1030nm-2x2 | BM-1030nm-1.3x1.3 |
| •GaAs上的单晶AlAs / GaAs布拉格反射镜 •中心波长λ= 1030 nm •芯片面积：4 mm x 4 mm •芯片厚度：450μm • Data sheet (pdf) | •GaAs上的单晶AlAs / GaAs布拉格反射镜 •中心波长λ= 1030 nm •芯片面积：2 mm x 2 mm •芯片厚度：450μm • Data sheet (pdf) | •GaAs上的单晶AlAs / GaAs布拉格反射镜 •中心波长λ= 1030 nm •芯片面积：1.3 mm x 1.3 mm •芯片厚度：450μm • Data sheet (pdf) |
砷化铝/砷化镓布拉格反射镜AlAs/GaAs Bragg mirrors