日本理学全反射 X 射线荧光光谱仪TXRF 3760-华普通用
产品简介
详细信息
全反射 X 射线荧光光谱仪TXRF 3760分析可以测量所有晶圆厂工艺中的污染,包括清洁、光刻、蚀刻、灰化、薄膜等。全反射 X 射线荧光光谱仪TXRF 3760 可以使用单目标 3 光束 X 射线系统和无液氮探测器系统测量从钠到 U 的元素。
全反射 X 射线荧光光谱仪TXRF 3760 包括理学获得的 XYθ 样品台系统、真空晶圆机器人传输系统和新的用户友好型窗口软件。所有这些都有助于提高吞吐量、更高的准确度和精度,以及简化的日常操作。
可选的扫描TXRF软件可以绘制晶圆表面上的污染物分布图,以识别可以更高精度自动重新测量的“热点”。可选的 ZEE-TXRF 功能克服了原始 TXRF 设计历 15 mm 边缘排除的问题,使测量能够以零边缘排除进行。
特征
易于操作,分析结果快速
接受 200 mm 及更小的晶圆
紧凑的设计,占地面积
大功率旋转阳极源
多种分析元素(Na~U)
轻元素灵敏度(针对钠、镁和铝)
应用于裸硅和非硅基板
从缺陷检测工具导入测量坐标以进行后续分析
规格
产品名称 | TXRF 3760 |
技术 | 全反射 X 射线荧光 (TXRF) |
效益 | 从Na到U的快速元素分析,以测量所有晶圆厂工艺中的晶圆污染 |
科技 | 带无液氮探测器的 3 光束 TXRF 系统 |
核心属性 | 高达 200 mm 的晶圆、XYθ 样品台系统、真空晶圆机器人传输系统、ECS/GEM 通信软件 |
核心选项 | 扫描TXRF软件可以绘制晶圆表面上的污染物分布图,以识别“热点”。ZEE-TXRF 功能可实现零边缘排除的测量 |
计算机 | 内置电脑,微软视窗操作系统® |
核心尺寸 | 1000 (宽) x 1760 (高) x 948 (深) 毫米 |
质量 | 100 千克(核心单元) |
电源要求 | 3Ø, 200 VAC 50/60 Hz, 100 A |