RTP-3-04 半导体芯片退火设备 RTP快速退火炉
产品简介
详细信息
半导体芯片退火设备 RTP快速退火炉可应用于集成电路的离子注入退火；集成电路、LED芯片、半导体激光器芯片、射频芯片、MEMS芯片、功率器件、分立器件、第三代半导体等的合金化退火；石墨烯，Au纳米晶的制备；集成电路，LED芯片、第三代半导体等的致密化退火；集成电路、分立器件、功率器件、射频芯片等的热氮化/热氧化退火。
快速退火炉对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氮化(RTN)、快速热氧化(RTO)及金属合金化等研究和生产起到重要作用。
温度范围：RT~1200℃，大升温速率：50 ℃/s 控温精度：±0.1℃ 温度均匀性：±1% 降温速率：1200℃→400℃：200℃/min400℃→100℃：20℃/min
半导体芯片退火设备 RTP快速退火炉产品特点
● 快速加热和降温: 高可控升温速率可达50 ℃/s，特定条件下可以达到100 ℃/s。冷壁水冷设计能够达到较大的降温速率，特定条件下可达30 ℃/s。
● 精确控温: 采用工业温控器进行PID精确控温，目标温度与设定温度曲线一致性高，可实现室温至1200 ℃的温度精确控制。
● 适应多种工艺环境: 满足多种工艺气氛下的热处理（氮气、氩气等）。同时，通过选配真空泵，可以在真空条件下进行退火，高真空度可达10-3Pa。
● 配备观察窗口: 通过观察窗口，可以实时观察热处理过程中的样品变化。同时，可以结合相关测试方法进行原位测试分析。
● 超高安全系数: 采用炉壁超温报警系统和冷却水流量报警系统，多方位保障仪器使用安全。
● 国产退火炉：拥有自主研发技术和制造能力，能快速反应客户售后需求。