离子蚀刻机 20 IBE-C 伯东公司供应
产品简介
详细信息
离子蚀刻机 20IBE-C
上海伯东日本 进口适合中等规模量产使用的离子刻蚀机, 样品台可选直接冷却 / 间接冷却
φ4 inch X 6片 | 基板尺寸 | < φ3 inch X 8片 | 可选 |
样品台 | 样品台可选直接冷却 / 间接冷却0-90度旋转 | ||
离子源 | 20cm 考夫曼离子源 | ||
均匀性 | ±10% for 8”Ф | ||
硅片刻蚀率 | 20 nm/min | ||
温度 | <100 |
NS 离子蚀刻机 20IBE-C 组成
伯东离子蚀刻机主要优点:
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国考夫曼离子源
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.
离子刻蚀机 3-4inch 20IBE 视频
NS 离子蚀刻机通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
Hakuto NS 日本原装设计制造离子刻蚀机, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对黄金 AU, 铂 PT, 合金等金属及半导体材料也能提供蚀刻. 适用于 MR 薄膜磁头, 自旋电子学, 应力传感器, 射频滤波器, 超导体, 复合半导体材料的刻蚀. NS 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!
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