离子蚀刻机 10 IBE 伯东公司供应
产品简介
详细信息
离子蚀刻机 10 IBE
上海伯东日本进口适合小规模量产使用和实验室研究的离子蚀刻机, 一般通氩气 Ar, 无污染, 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40 产生轰击离子; 终点检出器采用 Pfeiffer 残余质谱监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.
基板尺寸 | φ4 X 1wfr | 可选 |
样品台 | 直接冷却(水冷)0-90 度旋转 | |
离子源 | 4 cm,8cm,10cm,16cm | |
均匀性 | ±5% for 4”Ф | |
硅片刻蚀率 | 20 nm/min | |
温度 | <100 |
伯东离子蚀刻机主要优点
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国考夫曼离子源
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.
离子蚀刻机 10IBE 组成:
离子蚀刻机通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!
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