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Cressington 208C高真空镀碳仪为SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探针分析提供高质量的镀膜技术。系统结构紧凑，所占空间小。样品室直径150mm，可快速抽真空进行镀膜处理，处理周期约10分钟。高真空条件下使用超纯的碳棒为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。.组件设计方式可方便地对不同优化条件下的各种应用进行切换。

主要特性

• 电压控制的碳棒具有多次蒸发能力
• 反馈控制可以得到准确一致的镀膜厚度
• 可选择操作方法优化镀膜过程
• 繁忙条件下可进行自动蒸发控制
• 低成本高分辨膜厚监测仪保证可重复的镀膜效果
• 80L/s的分子涡轮泵可快速地使直径150mm的样品室达到镀膜要求的真空
• 可配备无油涡旋式真空泵选件

1. 可通过以下方式节约成本：无须水冷却系统
2. 无须加热或冷却
3. 无须液氮
4. 制样周期短
5. 节省空间

碳蒸发控制

• 208C对碳棒－Bradley型碳蒸发源使用*的*集成的反馈控制设计。
• 电流和电压通过磁控头的传感线监控，蒸发源作为反馈回路中的一部分被控制。该蒸发装置使常规的碳棒具有优良的稳定性和重现性。功率消耗低，碳棒具有异常的重新蒸镀特性。
• 蒸发源使用两步超纯碳棒。
• 蒸发源可以手动“脉冲”或“连续”的方式进行镀膜。“脉冲”方式如果和MTM-10高分辨膜厚监测仪一起使用，可以准确得到所需要的膜厚。自动方式下的操作非常方便，操作者只要设定电压和时间，可以得到一致的镀膜效果。

208C 样品室

• 样品室的组件设计方式可适应多种附件使用。
• 通过简单调节工作距离，可方便地调节蒸发速率。
• *的标准化高/低真空压力调节通过精密针阀完成。
• 高真空用于质量地镀膜，如用于TEM制样。
• 低真空用于TEM栅网的辉光放电清洁以及扫描电镜观察中形貌复杂样品的镀膜。
• 对于SEM、EDS/WDS 和探针分析，旋转－行星转动－倾斜样品台可对同时多个样品进行一致的镀膜处理。
• 旋转－倾斜台特别为TEM样品处理设计，而且可以放置25 x 75mm的玻片。

 

技术参数
样品室大小	直径150mm 、高度 165mm – 250mm可调
蒸发源	Bradley型 (6.15mm直径 rods) ，高强度不锈钢结构
蒸发控制	基于微处理器的反馈回路控制，能够进行远程电流/电压感应，基于真空水平变量的安全互锁功能，电流180A，提供过流保护
样品台	可安装12个扫描电镜样品座 高度在60mm范围内可调 旋转－行星转动－倾斜样品台（选件）
模拟计量	真空, 双范围 Atm － 0.001mb ；1 x 10-3mb－ 5 x 10-6 mb 电流, 0 – 200A
控制方法	自动蒸发控制，使用程序设定的电压和时间，自动放气 以脉冲或连续方式进行*手动控制 数字定时器（0－30s） 数字电压设置（0.1 to 5.5V）
真空系统
结构	分子涡轮泵/旋片泵组合，无油涡旋式真空泵（选件）
抽真空速度	80 L/s.
抽真空时间	1.5 min限真空	5 x 10-6mb
桌上系统	旋片泵可置于抗震台上，全金属真空耦合系统
系统要求
电源	100-120 或 200-240 VAC, 50/60Hz
功率	1200 VA max.