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IV7样品制备系统

快速制备高质量的TEM/XTEM样品

对于开发新材料或开发样品制备新方法的用户，*采用IV7通用离子研磨仪。IV7具有*的研磨速度，非常适用于研究难以溅镀的材料，例如金刚石、蓝宝石等。IV7具有*的能力，通过低能离子轰击，可以制备无损坏的、无人为干扰的样品，并提供了*的机会，可以研究合成材料和天然材料的实际纳米结构，用于所有领域的技术和材料科学研究。

IV7 TEM/XTEM样品制备系统

低能离子源

离子源具有*的构型，让IV7可以在整个运行范围内均能达到较高的离子束电流密度。采用极低能的惰性气体离子束，可以确保zui大限度地减少表面损坏和由离子束引起的无定形化。

离子源控制

所有的离子枪参数，包括加速电压和离子束电流，均采用数字反馈环路进行自动控制，不过在样品制备过程中仍然可以进行人工变更。离子源参数的初始数值既可以自动设定，也可以人工设定。这些参数可以由电脑连续监测并显示。

自动运行

IV7采用全电脑控制和便于使用的图形化界面。所有的工作参数，包括电极电压、工作气体流、样品移动/倾斜，以及工艺时间和穿孔探测等其它参数，均可以保存或预编程。IV7的这种全自动特性可以制备高质量的样品，同时将用户的干扰降至zui小。

在线监测和支持

IV7配有在线软件，可以通过互联网进行实时错误检测和问题解决。

规格

• 采用相同的仪器进行快速减薄和轻柔抛光/清洗

• 全自动离子源设置和离子研磨操作

• 离子能量范围zui宽：从100 eV到20000 eV，采用超高能和低能惰性气体离子源

• *的研磨速度：对于多晶铜，在20000 eV、45°条件下，研磨速度为1300μm/h；对于单晶硅，在16000-20000 eV、45°条件下，研磨速度为300-600μm/h

电力要求

• 100–120 V / 10 A / 50-60 Hz

• 220–240 V / 5 A / 50-60 Hz

离子源

超高能离子源

• 离子能量：2000-20000 eV，可以连续调节

• 离子电流密度：>150mA/cm 2

• 离子束电流：250 μA

• 离子束直径：100–300 μm (FWHM)

• 研磨速度：在16000-20000 eV、45°离子束入射角度条件下，对于c-Si的研磨速度为300–600 μm/h

低能离子源

• 离子能量：100-2000 eV，可以连续调节

• 离子电流密度：zui大10mA/cm 2

• 离子束电流：7-80 mA

• 离子束直径：750-1200 mm（FWHM）

• 研磨速度：在2000 eV、30°离子束入射角度条件下，对于c-Si的研磨速度为28 mm/h

样品操作

• 研磨角度：0°–45°，可以电子调节，增量0.1°

• 由电脑控制的平面内旋转和摆动（0°–120°角度范围，可以电子调节，增量10°）

• 可以容纳很大厚度范围的TEM样品（30-200μm）

真空系统

• Pfeiffer真空系统，带无油薄膜和涡轮分子泵，配有紧凑式全量程皮拉尼(Pirani)/潘宁(Penning)真空计

气体供应系统

• 纯度为99.999%的氩气，压力1.3-1.7 bar

• 压力调节器，采用电子出口压力监测，用于调节惰性气体

• 采用机动针阀，进行高精度工作气体流控制

成像系统

• CCD摄像头图像，用于全可视化控制和研磨监管/终止

• 高分辨率（500万像素）彩色CCD摄像头

• 人工缩放视频镜头，放大范围为50-400倍

电脑控制

• 内置式工业级个人电脑

• 便于使用的图形化界面和图像分析模块

• 采用机动针阀，进行自动离子源设置，包括气体流调节

• 预编程自动设定机械和电子减薄参数（也可以人工调节）

• 自动装载样品

• 自动终止：

在图像分析模块的支持下，探测样品穿孔或监测表面形态的演变，可视化终止研磨过程