GSL-ZDDZS-500电子束蒸镀
产品简介
详细信息
产品简介：用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作及清理方便的优点,还具有蒸镀速率快，电子束定位准确能量密度高，可以避免坩埚材料的污染等特点。
产品型号 | GSL-ZDDZS-500电子束蒸镀 | ||
安装条件 | 本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：设备配有自循环冷却水机，水温小于25℃，水压0.25-0.4Mpa，流量高于12 l/min（加注纯净水或者去离子水）； 2、电：AC380V 50Hz，功率大于10KW，波动范围：小于±6％，必须有良好接地（对地电阻小于2Ω）； 3、气：设备腔室内需充注氮/氩气（纯度99.99%以上），需自备氮/氩气气瓶（自带Ø10mm双卡套接头）及减压阀 4、场地面积：设备尺寸2000mm×2000mm，承重1000kg以上 5、通风装置：需要（外排废气管道）； | ||
主要特点 | 1、由于电子束定位准确能量很高，可蒸发难熔金属或化合物，蒸发速率快； 2、体积小，操作简便可以非常容易的放置材料和清理； 3、蒸发材料放置在水冷铜坩埚中，可避免坩埚材料的污染，制备高纯薄膜； 4、由于蒸发物面积小，因而热辐射损失小，热效率高； | ||
技术参数 | 1、极限真空度：≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后)； 2、系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S； 3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，45分钟可达到6.6x10-4 Pa； | ||
基片参数 | 1、基片尺寸：可放置φ4″基片（带手动挡板）； 2、基片加热温度 800℃±1℃，由热电偶闭环反馈控制； 3、基片可连续回转，转速5～60转/分； 4、基片与蒸发源之间距离300～350mm可调； | ||
电子束蒸发源参数 | 1、E型电子枪，阳极电压6KV、8KV； | ||
真空腔体 | 1、U型真空室尺寸Ф500X600mm，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行特殊工艺抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封； 2、真空腔体前开门铰链结构，方便取、放样品； 3、前开门设有两个观察窗接口，可以观察电子枪和基片； 4、设备预留膜厚仪接口，可选配膜厚仪； 5、高真空分子泵机组，闸板阀隔断（也可使用高真空挡板阀）； | ||
产品规格 | 整机尺寸：1800mm×1200mm×2000mm； | ||
标准配件 | 1 | 电源控制系统 | 1套 |
2 | 真空获得机组 | 1套 | |
3 | 真空测量 | 1套 | |
4 | 电子枪 | 1套 | |