技术参数
1. 灵敏度：
低质量数 Li（7）:  50 Mcps/ppm；
中质量数 Y（89）:  160 Mcps/ppm（7700x）； 240 Mcps/ppm（7700s） ；
（高质量数 Tl（205）:  80 Mcps/ppm（7700x）； 120 Mcps/ppm（7700s）；
根据用户特殊需求，如激光、核工业、半导体材料等应用，可提供超高灵敏度功能2. 检测限：
低质量数 Be（9）:  0.5 ppt；
中质量数 In（115）:  0.1 ppt
高质量数 Bi（209）:  0.1 ppt
3. 氧化物干扰: CeO+/Ce+: 1.5 %（7700x）； 3.0 %（7700s）；
4. 双电荷干扰: Ce2+/Ce+: 3.0 %
5. 同位素比精度: RSD（107Ag/109Ag） 0.1%
6. 质谱范围：2 - 260 amu；
7 丰度灵敏度
低质量端:  5 x 10-7
高质量端:  1 x 10-7