JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。
标准内适用的文件：
    EIA/JESD 47 —— Stress-Test Driven Qualification of Integrated Circuits
    EIA/JEP 122 —— Failure Mechanism and Models for Silicon Semiconductor Devices（硅半导体器件的失效机理和模型）

    试验室温度应保持在特定温度的+/- 5℃内
    zui大电源电压应遵守规格书内的规范；zui大额定电压和zui大额定结温，一般由制造商根据特定的设备或技术给定。

1. 应力持续时间
    由内部质量要求、EIA/JESD 47 或适当的采购文件制定。

2. 应力条件（持续提供）
（1）环境温度
    除特殊要求，高温应根据zui小结温在125℃以下调整；除特殊要求，低温zui大值为-10℃。
（2）工作电压
    一般工作电压应为器件规定的zui大工作电压。可以使用更高的工作电压，以便从电压和温度上加速寿命试验，但一定不能超过zui大额定电压。

3. 偏置配置
    包括静态或脉冲应力和动态应力。
    根据偏置配置、电源电压、输入电压是接地或上升到zui大值的选择来确定应力温度，但不高与zui大额定结温。
    器件输出可加负载也可不加负载，以达到特定的输出电平。
（1）HTFB（高温正向偏置试验）
    一般用在功率器件、二极管和分立晶体管器件，不用在集成电路。
    设定在静态或脉冲正向偏压模式。脉冲模式用来验证器件在zui大额定电流附近承受的应力。特定的偏置条件应由器件内固体结的zui大数量来决定。
（2）HTLO/LTOL（高温工作寿命试验/低温工作寿命试验）
    HTOL一般用在逻辑或存储器件；LTOL一般用来寻找热载流子引起的失效，或用来试验存储器件或亚微米尺寸的器件。
    器件工作在动态工作模式。
    一般，一些输入参数也许被用来调整控制内部功耗，例如电源电压、时钟频率、输入信号等，这些参数也许工作在特定值之外，但在应力下会产生可预见的和非破坏性的行为。
    特定的偏置条件应由器件内潜在的zui大数量的工作节点确定。
（3）HTRB（高温反向偏置试验）
    HTRB用来试验功率器件。
    器件一般工作在静态测试模式，试验在zui大额定击穿电压和/或电流附件器件承受的应力。
（4）HTGB（高温们偏置试验）
    HTGB一般用在功率器件试验。
    器件一般工作在静态模式，试验在zui大额定氧化物击穿电压附件器件承受的应力。

4. 冷却
    在移除偏置前，高温应力下的器件应冷却到55℃以下。
    为了移动器件到与寿命测试的试验室分离的冷却位置上而中断偏置长达一分钟的情况不应视为移除偏置。
    所有制定的电子测量应在所有器件重加热钱完成。

**偏置是指加载到电源引脚上的电压。