对射频器件来说，平稳快速的碳化硅背部刻蚀对高性能、高性价比的半导体来说是至关重要的。正如氮化镓高功率射频器件市场，我司提供了一种易于制造深孔刻蚀的工艺。我司等离子技术市场Mark Dineen博士称在《复合半导体》刊物中就此技术做出阐述。
　　
　　“就在上个月，我司等离子技术展示了使用PlasmaPro 100 Polaris刻蚀系统对碳化硅进行深孔刻蚀的工艺。
　　
　　当宽带隙材料对氮化镓高功率射频器件越来越重要时，单晶圆刻蚀系统须呈现出更快更平稳的深孔碳化硅刻蚀，旨在为氮化镓、蓝宝石和碳化硅晶片等进行快速刻蚀。
　　
　　通往平稳刻蚀碳化硅的道路任重而道远。碳化硅背面刻蚀对通过氮化镓晶体管形成一个接触电极而言至关重要。然而，坚硬的碳化硅材质对刻蚀而言是一辛苦的工艺，世界各地的研究人员正在努力克服寻求应对较好处理衬底材质硬度接近钻石的方法。我司等离子技术为您解答…”
　　

　　刻蚀氮化镓技术：
　　
　　采用感应耦合等离子体源（2或13兆赫兹）进行反应离子刻蚀
　　
　　感应耦合等离子体
　　
　　射频驱动基板电极
　　
　　结果：
　　
　　速率：2微米/分钟
　　
　　对SiO2掩模的选择比25：1
　　
　　良好的均匀性
　　
　　表面光滑