HET-3RT霍尔效应测试系统
霍尔效应测试系统(霍尔效应测试仪)HET-3RT依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括Si、ZnO、SiGe、SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量),广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。 参考价¥85000嘉仪通半导体制冷台 液氮低温恒温器
嘉仪通LNT系列半导体制冷台 液氮低温恒温器也被称为高低温冷热台,该设备是利用稳态气泡原理使样品处于恒定或按照所需方式变化的低温环境中(温度范围为78K-800K,-195.15℃-526.85℃),并能对样品进行一种或多种物理性能测量的高低温恒温装置。 参考价¥120000RTP-3-04真空快速退火炉
RTP-3-04系列自立式4吋真空快速退火炉采用红外辐射加热技术,可实现大尺寸样品(4英寸)快速升温和降温,可用于快速热处理(RTP)、快速热退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)及金属合金化等半导体工艺。 参考价¥330000RTP-3-04快速退火炉厂家 供应半导体晶圆退火设备
武汉嘉仪通科技有限公司成立于2009年,是一家技术自主创新的国家新技术企业。公司集快速退火炉研发、市场和技术服务于一体的快速退火炉厂家,本公司生产销售的快速退火炉覆盖1-12吋样品测试,分为科研与产线两种应用场景类型共8款机型。快速退火炉厂家 供应半导体晶圆退火设备。 参考价¥340000LNT-3高低温台 小型高真空实验用液氮低温恒温器
嘉仪通LNT系列高低温台也被称为高低温冷热台,该设备是利用稳态气泡原理使样品处于恒定或按照所需方式变化的低温环境中(温度范围为78K-800K,-195.15℃-526.85℃),并能对样品进行一种或多种物理性能测量的高低温台 小型高真空实验用液氮低温恒温器。 参考价¥120000LNT-3液氮低温恒温台
嘉仪通LNT-3系列液氮低温恒温台,是利用稳态气泡原理使样品处于恒定或按照所需方式变化的低温环境中(温度范围为78K-800K),并能对样品进行一种或多种物理性能测量的低温恒温装置。 参考价¥100000RTP-3-01晶化快速退火炉
嘉仪通晶化快速退火炉RTP-3-01系列采用红外辐射加热技术,可实现1吋(选配2吋)样品快速升温和降温,同时搭配超高精度温度控制系统,可达到好的温场均匀性,对薄膜材料进行晶化快速退火处理,提高薄膜材料的均匀性及稳定性。 参考价¥310000LNT-378K-800K液氮低温恒温器 光学电学低温环境
78K-800K液氮低温恒温器 光学电学低温环境,可定制样品台配合进行低温环境电学I-V曲线测量、磁学测量、光电性能测量、热敏电阻测量、霍尔效应测量、光学测量等。 参考价¥105000RTP-3-04半导体芯片退火设备 RTP快速退火炉
半导体芯片退火设备 RTP快速退火炉可应用于集成电路的离子注入退火;集成电路、LED芯片、半导体激光器芯片、射频芯片、MEMS芯片、功率器件、分立器件、第三代半导体等的合金化退火;石墨烯,Au纳米晶的制备;集成电路,LED芯片、第三代半导体等的致密化退火;集成电路、分立器件、功率器件、射频芯片等的热氮化/热氧化退火。 参考价¥530000LNT-3液氮低温恒温器 嘉仪通 光学低温环境设备
液氮低温恒温器 嘉仪通 光学低温环境设备利用稳态气泡原理使样品处于恒定或按照所需方式变化的低温环境中,并能对样品进行一种或多种物理性能测量的低温恒温装置。 参考价¥105000RTP-3-04嘉仪通RTP4吋快速退火炉 控温精度准
快速退火炉 嘉仪通RTP4吋快速退火炉 控温精度准 升温速度快 半导体退火设备采用红外辐射加热技术,可实现大尺寸样品(4英寸样品)快速升温和降温,同时搭配高精度温度控制系统,可达到比较好的温场均匀性,对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。 参考价¥480000