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霍尔效应测试系统(霍尔效应测试仪)HET-3RT依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括Si、ZnO、SiGe、SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量),广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
产品特点
● 自主知识产权产品。
● 采用高精密度恒流源和电压表,确保仪器测试的良好准确度和高稳定性,性能*。
● 自动控制磁场方向的改变,更加方便准确。
● 样品装夹方式快速方便,且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。
● 产品工业外观采用一体化、精密化设计,融入人性化的设计理念,不仅赏心悦目而且操作方便。
● 智能化的用户界面操作简单,功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验,使测试过程更加方便快捷。
产品技术参数
设备型号 | HET-3RT |
温度范围 | RT |
磁感应强度 | 0.68T |
恒流源范围 | 1nA~100mA |
电压表范围 | 1nV~30V |
迁移率范围 | 1~107cm2/(V·s) |
霍尔系数范围 | 10-3~109cm3/C |
载流子浓度范围 | 107 ~1021/cm-3 |
电阻率范围 | 10-6~107Ω·cm |
样品尺寸 | 边长或直径:10mm~20mm 厚度:10nm-1mm |
主机尺寸 | 570x545x380(mm) |
重量 | 50kg |
霍尔效应测试系统(霍尔效应测试仪)产品应用
● 判断半导体材料类型
● 太阳能电池片的制程辅助
● 晶圆电性能的判断
● 热电材料研究