·直径6英寸的石英腔体，便于清洁和放入样品。

·安装有一个2英寸的样品台，并且样品台可以旋转，使所制薄膜更加均匀。

· 样品台和蒸发源之间的距离可以调节

.气体流量端口和阀门内置可用于腔室净化和CVD实验。

·控温方式∶手动控温/程序控温

· 控温精度∶+/-1℃

·腔体真空度∶5*10~-3Pa（表压只能显示到 1*10~-1Pa）

·样品室∶石英腔体∶167mm OD.x 152mm ID x 260mm H

·基片∶可装载基片最大尺寸为 50mm

· 输出电压∶ DC 18V

· 最大输出电流∶ ≤ 20A

·输入电源∶ AC220V/50HZ

·输入功率∶<500w

采用钨丝篮作为发热源，并且配有专用的氧化铝坩埚，热电偶安装在坩埚底部，以便干温度测量和控制。（图1）

·采用S型热电偶（工作温度为200℃-1500℃）（图2）

·可选p型热电偶（工作温度为1200℃-1700℃）

·安装有一个数显的温度控制器∶ 可设置30段升降温程序，控温精度为+/-1°℃（图3）

·温度控制器的时间设置以秒为单位，建议将升温/降温速率限制在1200°c以下0.3℃C/s（20°C/min），在1200-1500°c限制到0.15°C/s（10°C/min）

· 仪器中配有钨丝篮及氧化铝坩埚（图4、图5）

·进气接口为1/4PS，可向真空腔体中通入惰性气体，对腔体进行清洗，也可通入反应气体，进行反应蒸发镀膜

·进气口安装有一针阀，用于调节进气流量

·L440mnx W330mm x H630mn

·所有电器元件（>24v）都通过u/MET/CSA/CE认证，若客户出认证费用，本公司保证单台设备通过德国TuV认证或CAs认证。

一年质保期，终生维护

特别提示∶1.耗材部分如加热元件，石英管，样品坩埚等不包含在内。

2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。