I（z）光谱学与LBH光谱学有关，可用于提供有关表面的微观功函数的z依赖性的信息。I（z）光谱学的下一个重要用途是测试STM笔尖质量。STM中

的隧穿电流I _T随着样本间距z为

我_Ť〜EXP（-2kz），

衰减常数由下式给出

2k = 2（2mU / h2）^1/2。

U是平均功函数U _av =（U _s + U _t）/ 2，其中U _t和U _s分别是功函数和样本功函数。

在I（z）光谱学中，我们测量STM图像每个像素处的隧道电流与样品间距的关系。
对于U _av = 1 eV，2k = 1.025 A ^-1 eV ^-1。尖锐的I（z）依赖性有助于确定吸头质量。根据经验可以确定，如果在Z <3 A的情况下隧道电流U _T下降至一半，则认为该非常好；如果在Z <10 A的情况下，则使用该可以在HOPG上实现原子分辨率。
如果在Z> 20 A的情况下发生此，则不应使用该，而必须将其更换。

References

1 . G. Binnig and H. Rohrer: Surf. Sci. 126 (1983) 236. Rep. Prog. Phys. 55, 1165-1240 (1992).