微波材料学工作站--微波等离子化学气相沉积系统

WBDQC-4微波材料学工作站--微波等离子化学气相沉积系统

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2020-12-28 17:36:21
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产品简介

该系统既可用作传统的化学气相沉积设备,又可用作微波能化学气相沉积设备,同时又是微波等离子化学气相沉积设备

详细介绍

微波材料学工作站--微波等离子化学气相沉积系统

主要用途:
★该系统既可用作传统的化学气相沉积设备,又可用作微波能化学气相沉积设备,同时又是微波等离子化学气相沉积设备
★主要为应用在半导体, 大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料,石墨烯、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域
★该款具有高电离、高电子温度和电子密度、适用压强范围宽、无内部电极污染等优异性能,微波等离子体在材料表面处理、金刚石薄膜制备、
化学气相沉积、刻蚀以及甲烷转化制氢、长余辉发光材料、陶瓷烧结、碳纳米管修饰[3]、纳米粉体合成、处理水污染等领域

产品特点:
垂直反应器的设计可使等离子高密度;对称的微波发生器装置,使产生的等离子环境更均匀
谐振腔内没有内部电极,可以避免电极放电所产生的污染,而且,它的运行气压范围比较宽,所产生等离子体密度高、区域大,
    稳定性高,且不与真空器接触,从而避免了器壁对薄膜的污染

操作便捷:气路连接方式采用了KF快速连接法兰结构,使取放物料过程简化,只需一支卡箍便可完成气路连接,方便操作,
     取消了复杂的法兰安装过程,减少了安装造成的损坏
多功能:4种加热方式可选可变:微波等离子、纯微波、传统电加热、混合加热;适应包括金属与合金在内非易燃的任何样品的热处理
双温区结构:上部等离子区或加热区下部样品台加热区
开发的微波场传感器,精准控温
安全:采用防止泄漏的联锁保护屏蔽措施安全可靠的微波屏蔽腔体设计,多重防泄漏保护
*标配装有专业微波抑制器
*内置微波泄漏传感器
节能:使用寿命长:磁控管微波加热,避免和解决了传统的加热丝、硅碳棒、硅钼棒等加热元件容易损坏的问题,也避免了因加热元件
    损坏而造成的时间、实验进度、维修费用等各种损失
★采用无级可调、高稳定度长寿命、连续波微波源,确保设备能够连续稳定长时间运行
嵌入式微机一体化温度控制系统;实现稳定性控温
★无须烘炉过程:炉腔整体自身发热,加热均匀
★微波能量即开即有,无热惯性,易于控制温度
★配有万向轮调节底脚,方便移动和固定

技术参数:
型号/modelWBDQC-4
可加热材料非易燃易爆的任何材料
微波频率2.45GHZ±50MHz
加热方式等离子加热、纯微波加热、传统电加热、混合加热
大功率/ KW(连续、可调)4
样品腔长度标配100mm可根据用户需求订制
加热样品腔(材质)石英管(微波等离子工作模式)石英管&刚玉管(其它加热方式)
控温范围/℃1100℃石英样品腔直径:Φ45mm、Φ60mm、Φ100 mm 可选;1500℃刚玉样品腔直径:Φ45mm、Φ60mm 可选;
温度测试元件微波场传感器
温度分辨率/℃0.1
样品台温度范围室温-1200℃、更高温度可选配
控温精度/℃
1200℃以下±1;1200℃以上±2℃
温度偏差/℃
温度稳定波动度/℃
冷却方式风冷
恒温区长度/mm标配100mm可根据用户需求订制
升温速率(标配)0~200℃/min(微波等离子工作模式除外)
任意设定,可编程、分段加热
温度控制方式10段可设工艺参数,7寸触摸屏操作,带数据存储功能;提供手动、自动、恒温控制模式,曲线实时显示
控制气体控制气体:H2、CH4、Ar、N 2 、其它气体可选
流量控制标配 2 套质量流量控制器:七星华创(真空保护阀门后置,匹配真空模式);精度:0.8%
大耐压1MPa;控制响应时间:10ms
真空系统真空泵RVP2008;压力范围:10 -3 Torr~760 Torr
大抽速:8.5m 3 /h
真空计数显真空计:1atm-10 -1 Pa
标配质量流量自动控制系统配备控制计算机及控制软件,可以内置实时显示和保存生长参数
气路其他配置气柜、气路及阀门等
端口不锈钢 KF50 法兰接口
电源电压(V)220
微波泄漏量/ mW/㎝2≤0.4
外型尺寸(长´宽´高)/mm1100×750×1900
  

选配功能:
质量流量控制系统;美国Alicat质量流量&控制器







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