该PECVD可以升级到PECVD & 反应离子蚀刻双功能系统(带ICP源)！
该PECVD等离子体增强化学气相沉积设备系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。可选用射频(RF)、空阴*密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。大沉积尺寸为8英寸。
等离子源：
5英寸或8英寸多喷头平面中空阴离子源；
600瓦水冷；
Fractal monometer and carrier gas freed；
高密度等离子1013 ions/cc；
均匀性好，低污染；
应用领域：
等离子诱导表面改性(Plasma Induced Surface Modifications)；
等离子清洗(NF3)；
等离子反应离子蚀刻(Plasma Reactive Ion Etching)；
等离子聚合(Plasma Polymerization)；
等离子增强化学气相沉积(PECVD)；
SiO2, Si3N4, DLC及其它硬质薄膜

PECVD等离子体增强化学气相沉积设备技术参数：

平板尺寸(Platen size) 8英寸
源直径(Source diameter) 5英寸或8英寸
气路数(No. of gas feeds) 4(2反应气，1载气，1排气)
源到平板距离(Source to platen distance) 2英寸或可以调节
zui高平板温度(Max. platen temp.) 400℃
射频电源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz
射频偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHz

计算机控制的高品质沉积设备；
射频花洒喷头及等离子源；
大可沉积8英寸直径的薄膜；
RF偏置基底夹具；
水冷平板(water cooled platen)；
一路载气和两路反应气通过流量计控制流量；
分子涡轮泵；
基本真空度10-7 Torr；
空气控制阀

主要特点：

可升级到PECVD & 反应离子蚀刻(Reactive Ion Etching,RIE)双功能系统；
5英寸或8英寸等离子源；
电抛光不锈钢腔体；
热台(heated platen)；
带有5英寸视窗的门(晶片装载及取出)；
装载锁(load lock)；
高度调整平板；
腐蚀泵包(corrosive pump package)；
增加气路，加热气路；
HMDS或加热液体传输系统；
1kw射频源；
脉冲直流电源；
兰缪尔探针(Langmuir probe)