OHR-M2-G压力变送器系全部采用优质芯片，经过精心的结构设计，信号处理和组装，并按照国家标准和企业标准，进行测试而生产出来的新一代压力传感器。基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术，在单晶硅片的特定晶向上，用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥，形成敏感膜片，当受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，使桥臂电阻发生变化（一对变大一对变小）再激励电压信号输出，经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺，生产出具有标准输出信号的压力变送器。

OHR-M2-G压力变送器技术性能参数指标:
测量介质   水及一般腐蚀性较弱液体
测量范围   0～1米至0～200米
过载压力   2倍满量程
输出信号   4～20mA (两线制)
供电电压   9～36VDC
介质温度   -20～+85℃
环境温度   -20～+85℃
储存温度   -20～+90℃
相对湿度   ≤75%RH
上升时间   小于5毫秒可达90%FS
精 确 度   ±0.25%FS, ±0.5%FS, ±0.1%FS(包括非线性、重复性、及迟滞性在内的综合误差)
温度补偿   ≤0.05FS/℃（温度范围：-20～+70℃，包括零点和量程的温度影响）
测试范围    -20℃-+70℃
稳定性      典型：±0.1%FS 大: ±0.2%FS 
外壳材料    316不锈钢
引出线      口径为7.3外径防水通气电缆

OHR-M2-G压力变送器
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