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　　椭偏仪发展展望

　　

　　椭偏测量具有非接触性、非破坏性、测量精度高和适于测量较薄膜层的特点，成为了半导体工业常用的薄膜测量工具。由于半导体制造业在器件关键尺寸上的测量要求越来越，薄膜常用材料日益多样化，薄膜的结构越来越复杂，需要进一步改进椭偏仪。目前椭偏仪的主要发展趋势包括:

　　

　　1、寻找较高强度的红外光源，拓宽椭偏仪的光谱范围，以准确确定异质结构的多层膜结构;

　　

　　2、建立包含成像椭偏仪的校准因素的系统模型，以减小成像椭偏仪的测量误差;

　　

　　3、对半导体工业常用薄膜材料建立准确的物理模型，以减小系统的计算误差;

　　

　　4、引入能够同步进行数据获取和数据处理的控制系统，并利用优化算法，较快得出薄膜系统待求参量，以提高椭偏仪的测量速度，增强椭偏仪的在线检测和控制功能。