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　　【仪器网 行业要闻】日前，标准化组织(ISO)正式发布了微束分析领域中的一项标准：基于测长扫描电镜的关键尺寸评测方法。这是半导体线宽测量标准，也是半导体检测领域由中国主导制定的标准。
 

 

　　半导体或芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸，其中小的特征尺寸称为关键尺寸，对关键尺寸测量也可称为纳米尺度线宽测量。关键尺寸表示制作半导体或芯片的技术节点，线宽越小，集成的元件就越多，在同一面积上就可以集成更多电路单元，同时功耗也越低。但是相应的，制作工艺也会越来越复杂。因此线宽大小是半导体制造工艺先进水平的主要指标。纳米级的关键尺寸测量不确定度控制非常困难，具有精确测量算法的测量方法是关键尺寸评估的关键。
 

　　半导体线宽测量标准由中国科学技术大学物理学院和微尺度物质科学国家研究中心丁泽军团队主导制定。丁泽军团队在临界尺寸扫描电子显微镜测量半导体关键尺寸方法的基础上，利用表面电子能谱学的Monte Carlo模拟计算方法构建 “基于模型数据库”方法，提供偏差更小，尺寸和形状精度更高的结果。该方法适用于确定样品的线宽，例如晶圆上的栅极，光掩模，尺寸小于10 nm的单个孤立的或密集的线条特征图案。
 

　　由我国主导的半导体线宽检测标准发布标志着我国半导体测评技术的发展已经得到了认同，也意味着我国的半导体产业将在世界上拥有更大的影响力。半导体行业是经济的焦点领域。作为技术要求极高的行业，国产企业在这一方面与美、韩仍有较大差距，因此国家十分重视半导体行业的发展。
 

　　团队在标准的研究上得到科技部973项目、国家自然科学基金委和中科大超算中心的支持。未来如何积累优势，在半导体行业上赶上甚至超过美、韩，仍需要研究人员继续努力。
 

　　资料来源：科学网